To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2117/9021
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica |
---|---|
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies |
dc.contributor.author | López González, Juan Miguel |
dc.date | 2010-10-01 |
dc.identifier.citation | Lopez, J. Analytical modelling of 200 GHz SiGe HBT high-frequency noise parameters. "Semiconductor science and technology", 01 Octubre 2010. |
dc.identifier.citation | 0268-1242 |
dc.identifier.citation | 10.1088/0268-1242/25/10/105011 |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/9021 |
dc.language.iso | eng |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació |
dc.subject | Signal theory (Telecommunication) |
dc.subject | Low noise amplifiers |
dc.subject | Senyal, Teoria del (Telecomunicació) |
dc.title | Analytical modelling of 200 GHz SiGe HBT high-frequency noise parameters |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article |
dc.description.abstract |