Study of emitter width effects on beta(F), f(T) and f(max) of 200 GHz SiGe HBTs by DD, HD and EB device simulation

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Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/7470

dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica
dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies
dc.contributor.author	López González, Juan Miguel
dc.contributor.author	Schröter, Michael
dc.date	2009-09
dc.identifier.citation	Lopez, J.; Schröter, M. Study of emitter width effects on beta(F), f(T) and f(max) of 200 GHz SiGe HBTs by DD, HD and EB device simulation. "Semiconductor science and technology", Setembre 2009, vol. 24, núm. 11, p. 5005-5012.
dc.identifier.citation	0268-1242
dc.identifier.citation	10.1088/0268-1242/24/11/115005
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2117/7470
dc.language.iso	eng
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject	Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica
dc.subject	Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors
dc.subject	Semiconductors
dc.subject	Electrònica
dc.subject	Semiconductors
dc.title	Study of emitter width effects on beta(F), f(T) and f(max) of 200 GHz SiGe HBTs by DD, HD and EB device simulation
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type	info:eu-repo/semantics/article
dc.description.abstract	This paper studies the effect of emitter width on the dc current gain, βF , and ac figures of merit, cut-off frequency, f T, and maximum oscillation frequency, f max, of realistic structures for 200 GHz SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs) using two-dimensional drift-diffusion (DD), hydrodynamic (HD) and energy balance (EB) simulations. The carrier transport models used are briefly presented. The SiGe-HBTs studied have a base thickness of 15 nm. Results of the three transport models are shown and analyzed, for the different emitter geometries.

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