To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2117/7391
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica |
---|---|
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. TIEG - Terrassa Industrial Electronics Group |
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. SEPIC - Sistemes Electrònics de Potència i de Control |
dc.contributor.author | Fernández García, Raúl |
dc.contributor.author | Berbel Artal, Néstor |
dc.contributor.author | Gil Galí, Ignacio |
dc.contributor.author | Morata Cariñena, Marta |
dc.date | 2010-04-12 |
dc.identifier.citation | Fernandez, R. [et al.]. Impact of NBTI on EMC behaviours of CMOS inverter. A: Asia-Pacific International Symposium on Electromagnetic Compatibility- EMC-ZURICH. "Proceedings of the Asia-Pacific International Symposium on Electromagnetic Compatibility- EMC-ZURICH". 2010, p. 1031-1034. |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/7391 |
dc.language.iso | eng |
dc.relation | http://www.emc-zurich.org/ |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica |
dc.subject | Metal oxide semiconductors, Complementary |
dc.subject | Electromagnetic interference |
dc.subject | Interferència electromàgnetica |
dc.title | Impact of NBTI on EMC behaviours of CMOS inverter |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type | info:eu-repo/semantics/conferenceObject |
dc.description.abstract |