|
Título:
|
Bias-dependence of FET intrinsic noise sources, determined with a quasi-2D model
|
|
Autor/a:
|
Lázaro Guillén, Antoni; Maya Sánchez, Mª del Carmen; Pradell i Cara, Lluís
|
|
Otros autores:
|
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions; Universitat Politècnica de Catalunya. RF&MW - Grup de Recerca de sistemes, dispositius i materials de RF i microones |
|
Abstract:
|
The bias-dependence of microwave-FET intrinsic noise sources in their hybrid configuration is theoretically determined, using a new quasi-2D (Q-2D) physical model based on Thornber's current equation [8]. It is shown that the correlation coefficient cannot be neglected, in agreement with empirical work in the literature. Experimental verification using noise-parameter measurements up to 26 GHz is presented. |
|
Abstract:
|
Peer Reviewed |
|
Materia(s):
|
-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Radiocomunicació i exploració electromagnètica::Circuits de microones, radiofreqüència i ones mil·limètriques
-Microwave optics
-Noise Measurement
-Field-effect transistors
-equivalent circuits
-microwave field effect transistors
-high electron mobility transistors
-Schottky gate field effect transistors
-semiconductor device models
-semiconductor device noise
-bias-dependence
-microwave-FET intrinsic noise sources
-hybrid configuration
-quasi-2D physical model
-Thornber current equation
-noise-parameter measurements
-FET noise models
-Soroll -- Mesurament
-Òptica física
-Microones
-Transistors d'efecte de camp |
|
Derechos:
|
|
|
Tipo de documento:
|
Artículo |
|
Editor:
|
JOHN WILEY & SONS INC
|
|
Compartir:
|
|
