Study of the impact of hot carrier injection to immunity of MOSFET to electromagnetic interferences

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Título:	Study of the impact of hot carrier injection to immunity of MOSFET to electromagnetic interferences
Autor/a:	Li, Binhong; Berbel Artal, Néstor; Boyer, A.; BenDhia, S.; Fernández García, Raúl
Otros autores:	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. TIEG - Terrassa Industrial Electronics Group
Abstract:	This paper presents an original study about the effect of hot carrier injection stress on the DC offsets induced by electromagnetic interferences (EMI) on a nanometric NMOS transistor, which is one of the major sources of failures in analog circuits. Measurements and simulations based on a simple model (Sakurai-Newton model) of fresh and stressed transistors are presented showing significant variations of EMI-induced DC shifts of drain current.
Abstract:	Peer Reviewed
Materia(s):	-Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors -Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Components electrònics::Transistors -Semiconductors -Metal oxide semiconductors -Transistors -Semiconductors -Metall-òxid-semiconductors -Transistors
Derechos:
Tipo de documento:	Artículo - Versión presentada Objeto de conferencia
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Berbel Artal, Néstor; Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio; Li, Binhong; BenDhia, S.; Boyer, A.

Berbel Artal, Néstor; Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio; Li, B.; Boyer, A.; BenDhia, S.

Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio; Boyer, A.; BenDhia, S.; Vrignon, Bertrand

Berbel Artal, Néstor; Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio

Berbel Artal, Néstor; Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio

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