Evidence of intrinsic ambipolar charge transport in a high band gap organic semiconductor

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RECERCAT Principal > Universitat Politècnica de Catalunya > Documents de recerca > Visualizar documento

Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/14665

dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica
dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies
dc.contributor.author	Moreno Sierra, César
dc.contributor.author	Pfattner, Raphael
dc.contributor.author	Mas Torrent, Marta
dc.contributor.author	Puigdollers i González, Joaquim
dc.contributor.author	Bromley, Stephan
dc.contributor.author	Rovira, Concepció
dc.contributor.author	Alcubilla González, Ramón
dc.contributor.author	Veciana, Jaume
dc.date	2011-11-16
dc.identifier.citation	Moreno, C. [et al.]. Evidence of intrinsic ambipolar charge transport in a high band gap organic semiconductor. "Journal of Material Chemistry", 16 Novembre 2011, vol. 22, p. 345-348.
dc.identifier.citation	10.1039/C1JM15037E
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2117/14665
dc.language.iso	eng
dc.relation	info:eu-repo/grantAgreement/EC/FP7/212311/EU/Organic Nanomaterials for Electronics and Photonics: Design, Synthesis, Characterization, Processing, Fabrication and Applications/ONE-P
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject	Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Microelectrònica::Electrònica molecular
dc.subject	Molecular electronics
dc.subject	Electronic apparatus and appliances
dc.subject	Electrònica molecular
dc.subject	Electrònica -- Materials
dc.title	Evidence of intrinsic ambipolar charge transport in a high band gap organic semiconductor
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type	info:eu-repo/semantics/article
dc.description.abstract	Theoretical and experimental investigations combining in situ Kelvin probe microscopy (KPM) and macroscopic electrical studies are employed to explore the intrinsic transport in dithiophene-tetrathiafulvalene (DT-TTF) single crystal organic field-effect transistors. Our work demonstrates that ambipolar behavior is not restricted only to materials possessing a high electron affinity and thus may be a more general phenomenon.
dc.description.abstract	Peer Reviewed

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