Electrically active point defects in n-type 4H¿SiC

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Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2445/24815

dc.contributor	Universitat de Barcelona
dc.contributor.author	Doyle, J. P.
dc.contributor.author	Linnarsson, M. K.
dc.contributor.author	Pellegrino, Paolo
dc.contributor.author	Keskitalo, N.
dc.contributor.author	Svensson, B. G.
dc.contributor.author	Schoner, A.
dc.contributor.author	Nordell, N.
dc.contributor.author	Lindstrom, J. L.
dc.date	2012-05-03T09:34:13Z
dc.date	2012-05-03T09:34:13Z
dc.date	1998-08-01
dc.date	2012-04-20T11:21:13Z
dc.identifier.citation	0021-8979
dc.identifier.citation	521830
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2445/24815
dc.format	4 p.
dc.format	application/pdf
dc.language.iso	eng
dc.publisher	American Institute of Physics
dc.relation	Reproducció del document publicat a: http://dx.doi.org/10.1063/1.368247
dc.relation	Journal of Applied Physics, 1998, vol. 84, núm. 3, p. 1354-1357
dc.relation	http://dx.doi.org/10.1063/1.368247
dc.rights	(c) American Institute of Physics, 1998
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject	Estructura electrònica
dc.subject	Cristal·lografia
dc.subject	Electronic structure
dc.subject	Crystallography
dc.title	Electrically active point defects in n-type 4H¿SiC
dc.type	info:eu-repo/semantics/article
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.description.abstract	An electrically active defect has been observed at a level position of ∼ 0.70 eV below the conduction band edge (Ec) with an extrapolated capture cross section of ∼ 5×10−14 cm2 in epitaxial layers ..

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