Electrically active point defects in n-type 4H¿SiC

Inicio | ¿Qué es? | Contacto

English | Català

Consultar RECERCAT

Por comunidades y
colecciones Por fecha Por autores Por títulos Por temas (CDU)

Consultar departamento

Por fecha Por autores Por títulos Por temas (CDU)

Estadisticas

Del documento Todo RECERCAT

Mi RECERCAT

Entrar Alertas por correo-e

Directorio de otros repositorios

RECERCAT Principal > Universitat de Barcelona > Enginyeria Electrònica i Biomèdica > Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica) > Visualizar documento

Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2445/24815

Título:	Electrically active point defects in n-type 4H¿SiC
Autor/a:	Doyle, J. P.; Linnarsson, M. K.; Pellegrino, Paolo; Keskitalo, N.; Svensson, B. G.; Schoner, A.; Nordell, N.; Lindstrom, J. L.
Otros autores:	Universitat de Barcelona
Abstract:	An electrically active defect has been observed at a level position of ∼ 0.70 eV below the conduction band edge (Ec) with an extrapolated capture cross section of ∼ 5×10−14 cm2 in epitaxial layers ..
Materia(s):	-Estructura electrònica -Cristal·lografia -Electronic structure -Crystallography
Derechos:	(c) American Institute of Physics, 1998
Tipo de documento:	Artículo Artículo - Versión publicada
Editor:	American Institute of Physics
Compartir:

Mostrar el registro completo del ítem

Documentos relacionados

Otros documentos del mismo autor/a

Optical response of Cu3Ge thin films

Aboelfotoh, M. O.; Guizzetti, G.; Marabelli, F.; Pellegrino, Paolo; Sassella, A.

Vacancy and interstitial depth profiles in ion-implanted silicon

Leveque, P.; Kortegaard Nielsen, H.; Pellegrino, Paolo; Hallen, A.; Svensson, Bengt G.; Kuznetsov, Andrej; Wong-Leung, J.; Jagadish, C. (Chennupati); Privitera, V.

Low-loss rib waveguides containing Si nanocrystals embedded in SiO2

Pellegrino, Paolo; Garrido Fernández, Blas; García Favrot, Cristina; Arbiol i Cobos, Jordi; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Melchiorri, Mirko; Daldosso, Nicola; Pavesi, Lorenzo; Scheid, E.; Sarrabayrouse, G.

Size dependence of refractive index of Si nanoclusters embedded in SiO2

Moreno Pastor, José Antonio; Garrido Fernández, Blas; Pellegrino, Paolo; García Favrot, Cristina; Arbiol i Cobos, Jordi; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Marie, P.; Gourbilleau, Fabrice; Rizk, Richard

Optical-geometrical effects on the photoluminescence spectra of Si nanocrystals embedded in SiO2

Ferre, R. (Rafael); Garrido Fernández, Blas; Pellegrino, Paolo; Perálvarez Barrera, Mariano José; García Favrot, Cristina; Moreno Pastor, José Antonio; Carreras, Josep; Morante i Lleonart, Joan Ramon

Accesibilidad | Aviso legal | Política de Cookies | Documentos de uso interno

Coordinación

Patrocinio