Analysis by optical absorption and transmission electron microscopy of the strain inhomogeneities in InGaAs/InP strained layers

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Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2445/24724

dc.contributor	Universitat de Barcelona
dc.contributor.author	Roura Grabulosa, Pere
dc.contributor.author	Clark, S. A.
dc.contributor.author	Bosch Estrada, José
dc.contributor.author	Peiró Martínez, Francisca
dc.contributor.author	Cornet i Calveras, Albert
dc.contributor.author	Morante i Lleonart, Joan Ramon
dc.date	2012-05-02T07:04:21Z
dc.date	2012-05-02T07:04:21Z
dc.date	1995-04-15
dc.identifier.citation	0021-8979
dc.identifier.citation	91323
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2445/24724
dc.format	3 p.
dc.format	application/pdf
dc.language.iso	eng
dc.publisher	American Institute of Physics
dc.relation	Reproducció del document publicat a: http://dx.doi.org/10.1063/1.359513
dc.relation	Journal of Applied Physics, 1995, vol. 77, núm. 8, p. 4018-4020
dc.relation	http://dx.doi.org/10.1063/1.359513
dc.rights	(c) American Institute of Physics, 1995
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject	Propietats òptiques
dc.subject	Optical properties
dc.title	Analysis by optical absorption and transmission electron microscopy of the strain inhomogeneities in InGaAs/InP strained layers
dc.type	info:eu-repo/semantics/article
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.description.abstract	Optical absorption spectra and transmission electron microscopy (TEM) observations on InGaAs/InP layers under compressive strain are reported. From the band¿gap energy dispersion, the magnitude of the strain inhomogeneities. Is quantified and its microscopic origin is analyzed in view of the layer microstructure. TEM observations reveal a dislocation network at the layer interface the density of which correlates with ¿¿. It is concluded that local variations of dislocation density are responsible for the inhomogeneous strain field together with another mechanism that dominates when the dislocation density is very low.

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