2026-04-17T02:15:57Zhttps://recercat.cat/oai/requestoai:recercat.cat:2072/4114332026-03-13T03:27:51Zcom_2072_98col_2072_378192
Non-homogeneuos conduction of conductive filaments in Ni/HfO2/Si resistive switching structures observed with CAFM
Claramunt, Sergi
Wu, Qian
Maestro Izquierdo, Marcos
Porti i Pujal, Marc
Bargallo Gonzalez, Mireia
Martin Martinez, Javier
Campabadal, Francesca
Nafría i Maqueda, Montserrat
Resistive switching
CAFM
Metal-insulator-semiconductor (MIS)
Altres ajuts: ERDF/TEC2011-2792-C02-02
Conductive filaments (CFs) in Ni/HfO₂/Si resistive switching structures are analysed at the nanoscale by means of Conductive Atomic Force Microscopy (CAFM). Differences in the CF conductivity are measured depending on the resistive state of the device. Moreover, for both resistance states, non-homogeneous conduction across the CF area is observed, in agreement with a tree-shaped CF.
2015
Article
Ministerio de Economía y Competitividad TEC2013-45638-C3-1-R
Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-384
Microelectronic engineering ; Vol. 147 (November 2015), p. 335-338
open access
Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
https://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/