Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2445/15725

Efficiency and reliability enhancement of silicon nanocrystal field-effect luminescence from nitride-oxide gate stacks
Perálvarez Barrera, Mariano José; Carreras, Josep; Barreto, Jorge; Morales, A. (Ángel); Domínguez, Carlos (Domínguez Horna); Garrido Fernández, Blas
Universitat de Barcelona
Microelectrònica
Semiconductors
Microelectronics
Semiconductors
(c) American Institute of Physics, 2008
Artículo
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
American Institute of Physics
         

Mostrar el registro completo del ítem

Documentos relacionados

Otros documentos del mismo autor/a

Perálvarez Barrera, Mariano José; Barreto, Jorge; Carreras, Josep; Morales, A. (Ángel); Navarro Urrios, Daniel; Lebour, Youcef; Domínguez, Carlos (Domínguez Horna); Garrido Fernández, Blas
Ferre, R. (Rafael); Garrido Fernández, Blas; Pellegrino, Paolo; Perálvarez Barrera, Mariano José; García Favrot, Cristina; Moreno Pastor, José Antonio; Carreras, Josep; Morante i Lleonart, Joan Ramon
Berencén Ramírez, Yonder Antonio; Carreras, Josep; Jambois, Olivier; Ramírez Ramírez, Joan Manel; Rodríguez, J. A.; Domínguez, Carlos (Domínguez Horna); Hunt, Charles E.; Garrido Fernández, Blas
Carreras, Josep; Bonafos, Caroline; Montserrat i Martí, Josep; Domínguez, Carlos (Domínguez Horna); Albiol i Cobos, Jordi; Garrido Fernández, Blas
Porti i Pujal, Marc; Avidano, M.; Nafría i Maqueda, Montserrat; Aymerich Humet, Xavier; Carreras, Josep; Garrido Fernández, Blas