Determination of the direct band-gap energy of InAlAs matched to InP by photoluminescence excitation spectroscopy

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Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/10256/3048

Título:	Determination of the direct band-gap energy of InAlAs matched to InP by photoluminescence excitation spectroscopy
Autor/a:	Roura Grabulosa, Pere; López-de Miguel, Manel; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan R.
Abstract:	A series of InxAl1-xAs samples (0.51≪x≪0.55)coherently grown on InP was studied in order to measure the band-gap energy of the lattice matched composition. As the substrate is opaque to the relevant photon energies, a method is developed to calculate the optical absorption coefficient from the photoluminescence excitation spectra. The effect of strain on the band-gap energy has been taken into account. For x=0.532, at 14 K we have obtained Eg0=1549±6 meV
Fecha de creación:	07-11-2010
Materia(s):	-Compostos d'alumini -Compostos d'indi -Fotoluminescència -Semiconductors -Aluminum compounds -Indium compounds -Photoluminescence
Derechos:	Tots els drets reservats
Tipo de documento:	Artículo
Editor:	American Institute of Physics
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