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Electric-field control of exchange bias in multiferroic epitaxial heterostructures
Laukhin, Vladimir; Skumryev, Vassil Hristov; Martí, X.; Hrabovsky, D.; Sánchez Barrera, Florencio; García-Cuenca Varona, María Victoria; Ferrater Martorell, Cèsar; Varela Fernández, Manuel, 1956-; Lüders, R.; Bobo, J. F.; Fontcuberta i Griñó, Josep
Universitat de Barcelona
The magnetic exchange between epitaxial thin films of the multiferroic (antiferromagnetic and ferroelectric) hexagonal YMnO3 oxide and a soft ferromagnetic (FM) layer is used to couple the magnetic response of the FM layer to the magnetic state of the antiferromagnetic one. We will show that biasing the ferroelectric YMnO3 layer by an electric field allows control of the magnetic exchange bias and subsequently the magnetotransport properties of the FM layer. This finding may contribute to paving the way towards a new generation of electric-field controlled spintronic devices.
26-06-2010
Electrònica quàntica
Semiconductors
Microelectrònica
Qunatum electronics
Semiconductors
Microelectronics
(c) American Physical Society, 2006
Artículo
American Physical Society
         

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Martí, X.; Skumryev, Vassil Hristov; Laukhin, Vladimir; Sánchez Barrera, Florencio; García-Cuenca Varona, María Victoria; Ferrater Martorell, Cèsar; Varela Fernández, Manuel, 1956-; Fontcuberta i Griñó, Josep
Herranz Casabona, Gervasi; Dix, Nico; Sánchez Barrera, Florencio; Martínez Perea, Benjamin; Fontcuberta i Griñó, Josep; García-Cuenca Varona, María Victoria; Ferrater Martorell, Cèsar; Varela Fernández, Manuel, 1956-; Hrabovsky, D.; Fert, Albert, 1938-
Herranz Casabona, Gervasi; Sánchez Barrera, Florencio; Fontcuberta i Griñó, Josep; Laukhin, Vladimir; Galibert, J.; García-Cuenca Varona, María Victoria; Ferrater Martorell, Cèsar; Varela Fernández, Manuel, 1956-
Martí, X.; Sánchez Barrera, Florencio; Fontcuberta i Griñó, Josep; Garca-Cuenca Varona, Mara Victoria; Ferrater Martorell, Cèsar; Varela Fernández, Manuel, 1956-