|
Abstract:
|
Els condensadors de desacoblament on-chip han esdevingut una bona solució per a mitigar elcreixent problema del soroll d’alta freqüència en l’alimentació dels circuits integrats.D’aquesta manera, doncs, s’han convertit en objecte d’estudi.Al llarg d’aquest document es fa una anàlisi teòrica dels condensadors on-chip construïts apartir de la capacitat de porta de grans transistors MOS. Es dóna un model senzill per adescriure el seu comportament dinàmic, i es mostra la necessitat que hi ha d’estudiar-losemprant paràmetres distribuïts.La longitud del canal d’un condensador de desacoblament MOS té una gran transcendència enel seu comportament. A partir d’una certa freqüència de tall, les pertorbacions que la superen no penetren totalment al transistor, degut a un efecte pel·licular que redueix la capacitat efectiva del transistor MOS. Aquesta freqüència de tall és inversament proporcional al quadrat de la llargada del canal del condensador de desacoblament. És per aquest motiu, que construir condensadors amb grans llargades de canal no té sentit si s’ha de treballar a freqüències elevades.Per a validar i contrastar les expressions teòriques que caracteritzen el comportament delstransistors actuant com a condensadors de desacoblament, es realitzen simulacions mitjançant un model no-quasi-estàtic dels transistors MOS. Aquest es composa d’un determinat nombre de transistors en sèrie modelats de forma quasi-estàtica, per als quals aquesta suposició pot ésser vàlida.Per a contrastar els resultats, es dissenya un circuit, i un layout d’aquest, per a poder-hirealitzar mesures experimentals, i així obtenir dades reals sobre el comportament dinàmic delscondensadors de desacoblament. |
