Utilizad este identificador para citar o enlazar este documento: http://hdl.handle.net/2072/5389

Model analític de les característiques DC de transistors de doble porta
Sureda i Masmartí, Carles
Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria; Jiménez Jiménez, David
05-2007
621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions
Transistors d'efecte de camp de metall òxid semiconductor
Aquest document està subjecte a una llicència d'ús de Creative Commons, amb la qual es permet copiar, distribuir i comunicar públicament l'obra sempre que se'n citin l'autor original, la universitat i l'escola i no se'n faci cap ús comercial ni obra derivada, tal com queda estipulat en la llicència d'ús (http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/es/)
26 p.
info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
         

Documentos con el texto completo de este documento

Ficheros Tamaño Formato Descripción
PFCSureda.pdf 302.9 KB PDF Projecte

Mostrar el registro completo del ítem