Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2445/8624

Low-resistance spin-dependent tunnel junctions with HfAlOx barriers for high-density recording-head application
Wang, Jianguo; Freitas, P. P.; Snoeck, E.; Batlle Gelabert, Xavier; Cuadra, J.
Universitat de Barcelona
04-05-2010
Espectroscòpia de raigs X
Espectroscòpia d'electrons
Compostos de metalls de transició
Electromagnetisme
Microscòpia electrònica de transmissió
Efecte túnel
X-Ray spectroscopy
Electron spectroscopy
Transition metal compounds
Electromagnetism
Transmission electron microscopy
Tunneling (Physics)
(c) IEEE, 2002
Artículo
IEEE
         

Mostrar el registro completo del ítem

Documentos relacionados

Otros documentos del mismo autor/a

Wang, Jianguo; Freitas, P. P.; Snoeck, E.; Batlle Gelabert, Xavier; Cuadra, J.
Cardoso, Susana; Zongzhi Zhang; Haohua Li; Ferreira, R.; Freitas, P. P.; Peng Wei; Soares, J. C.; Snoeck, E.; Batlle Gelabert, Xavier
Zhang, Zongzhi; Cardoso, Susana; Freitas, P. P.; Batlle Gelabert, Xavier; Wei, Peng; Barradas, N.; Soares, J. C.
Casanova i Fernàndez, Fèlix; Batlle Gelabert, Xavier; Labarta, Amílcar; Marcos, Jordi; Mañosa, Lluís; Planes Vila, Antoni
Marcos, Jordi; Casanova i Fernàndez, Fèlix; Batlle Gelabert, Xavier; Labarta, Amílcar; Planes Vila, Antoni; Mañosa, Lluís