Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2445/10599

Annealing kinetics of vacancy-related defects in low-dose MeV self-ion-implanted n-type silicon
Pellegrino, Paolo; Leveque, P.; Hallen, A.; Lalita, J.; Jagadish, C.(Chennupati); Svensson, Bengt G.
Universitat de Barcelona
04-05-2010
Microelectrònica
Dispositius magnètics
Microelectronics
Magnetic devices
(c) The American Physical Society, 2001
Article
The American Physical Society
         

Mostra el registre complet del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Leveque, P.; Kortegaard Nielsen, H.; Pellegrino, Paolo; Hallen, A.; Svensson, Bengt G.; Kuznetsov, Andrej; Wong-Leung, J.; Jagadish, C. (Chennupati); Privitera, V.
Hernández Márquez, Sergi; Pellegrino, Paolo; Martinez, A.; Lebour, Youcef; Garrido Fernández, Blas; Spano, Rita; Cazzanelli, M.; Daldosso, Nicola; Pavesi, Lorenzo; Jordana, E.; Fedeli, Jean-Marc
Daldosso, Nicola; Navarro Urrios, Daniel; Melchiorri, Mirko; García Favrot, Cristina; Pellegrino, Paolo; Garrido Fernández, Blas; Sada, Cinzia; Battaglin, Giancarlo; Gourbilleau, Fabrice; Rizk, Richard; Pavesi, Lorenzo
Guizzetti, G.; Marabelli, F.; Patrini, M.; Pellegrino, Paolo; Pivac, B.; Miglio, L.; Meregalli, V.; Lange, H.; Henrion, W.; Tomm, V.
Garrido Fernández, Blas; García Favrot, Cristina; Seo, S.-Y.; Pellegrino, Paolo; Navarro Urrios, Daniel; Daldosso, Nicola; Pavesi, Lorenzo; Gourbilleau, Fabrice; Rizk, Richard