Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2445/9871

Configurational statistical model for the damaged structure of silicon oxide after ion implantation
Garrido Beltrán, Lluís; Samitier i Martí, Josep; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Montserrat i Martí, Josep; Domínguez, Carlos (Domínguez Horna)
Universitat de Barcelona
04-05-2010
Efecte de les radiacions sobre els materials
Fotoemissió
Espectroscòpia de fotoelectrons
Effect of radiation on materials
Photoemission
Photoelectron spectroscopy
(c) The American Physical Society, 1994
Article
The American Physical Society
         

Mostra el registre complet del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Garrido Fernández, Blas; Samitier i Martí, Josep; Bota Ferragut, Sebastián Antonio; Moreno, J. A.; Montserrat i Martí, Josep; Morante i Lleonart, Joan Ramon
Carreras, Josep; Bonafos, Caroline; Montserrat i Martí, Josep; Domínguez, Carlos (Domínguez Horna); Albiol i Cobos, Jordi; Garrido Fernández, Blas
Baglio, Salvatore; Pérez Rodríguez, Alejandro; Martínez Mendizábal, Susana; Serre, Christophe; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Esteve Tintó, Jaume; Montserrat i Martí, Josep
Morante i Lleonart, Joan Ramon; Samitier i Martí, Josep; Cornet i Calveras, Albert; Herms Berenguer, Atilà; Cartujo Estébanez, Pedro
Morante i Lleonart, Joan Ramon; Samitier i Martí, Josep; Pérez Rodríguez, Alejandro; Altelarrea Soria, Hermenegildo; Gourrier, S.