Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2445/9848

Composition modulation and inhomogeneous strain field in InxGa1-xAs/InP strained layers
Roura Grabulosa, Pere; Bosch Estrada, José; Morante i Lleonart, Joan Ramon
Universitat de Barcelona
04-05-2010
Electrònica de l'estat sòlid
Propietats òptiques
Luminescència
Semiconductors
Microscòpia electrònica de transmissió
Solid state electronics
Optical properties
Photoluminescence
Semiconductors
Transmission electron microscopy
(c) The American Physical Society, 1992
Artículo
The American Physical Society
         

Mostrar el registro completo del ítem

Documentos relacionados

Otros documentos del mismo autor/a

Roura Grabulosa, Pere; Clark, S. A.; Bosch Estrada, José; Peiró Martínez, Francisca; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon
Roura Grabulosa, Pere; Vilà i Arbonès, Anna Maria; Bosch Estrada, José; López de Miguel, Manuel; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Westwood, David I.
Clark, S. A.; Roura Grabulosa, Pere; Bosch Estrada, José; Pérez Rodríguez, Alejandro; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Westwood, David I.; Williams, R. H.
Marsal Garví, Lluís F. (Lluís Francesc); López Villegas, José María; Bosch Estrada, José; Morante i Lleonart, Joan Ramon