Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2445/8749

Hydrogen-induced changes in the breakdown voltage of InP HEMTs
Blanchard, Roxann R.; Alamo, Jesús A. del; Cornet i Calveras, Albert
Universitat de Barcelona
Hidrogen
Espectroscòpia de raigs X
Transistors
Hall mobility
III-V semiconductors
X-ray spectroscopy
Failure analysis
High electron mobility
Transistors
Hydrogen
Indium compounds
Semiconductor device breakdown
(c) IEEE, 2005
Artículo
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
IEEE
         

Mostrar el registro completo del ítem

Documentos relacionados

Otros documentos del mismo autor/a

Blanchard, Roxann R.; Alamo, Jesús A. del; Adams, Stephen B.; Chao, P. C.; Cornet i Calveras, Albert
Vilà i Arbonès, Anna Maria; Peiró, F.; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon
Ferrer, J.C.; Peiró, F.; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Uztmeier, T.; Armelles, G.; Briones, F.
Roura Grabulosa, Pere; López-de Miguel, Manel; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan R.
Cerdà Belmonte, Judith; Cirera Hernández, Albert; Vilà i Arbonès, Anna Maria; Díaz Delgado, Raül; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon