Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2445/8749

Hydrogen-induced changes in the breakdown voltage of InP HEMTs
Blanchard, Roxann R.; Alamo, Jesús A. del; Cornet i Calveras, Albert
Universitat de Barcelona
04-05-2010
Hidrogen
Espectroscòpia de raigs X
Transistors
Hall mobility
III-V semiconductors
X-ray spectroscopy
Failure analysis
High electron mobility
Transistors
Hydrogen
Indium compounds
Semiconductor device breakdown
(c) IEEE, 2005
Article
IEEE
         

Mostra el registre complet del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Blanchard, Roxann R.; Alamo, Jesús A. del; Adams, Stephen B.; Chao, P. C.; Cornet i Calveras, Albert
Vilà i Arbonès, Anna Maria; Peiró, F.; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon
Ferrer, J.C.; Peiró, F.; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Uztmeier, T.; Armelles, G.; Briones, F.
Roura Grabulosa, Pere; López-de Miguel, Manel; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan R.
Cerdà Belmonte, Judith; Cirera Hernández, Albert; Vilà i Arbonès, Anna Maria; Díaz Delgado, Raül; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon