Use this identifier to quote or link this document: http://hdl.handle.net/2072/48087

Diseño de filtros de onda acústica basados en estructuras "half lattice"
Pintó del Pozo, Laura
Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria; Menéndez Nadal, Óscar
En los últimos tiempos la telefonía móvil ha experimentado una reducción de los terminales gracias a la miniaturización de los filtros a frecuencias de microondas. Los filtros pasa banda más utilizados son los basados en la tecnología SAW, sin embargo son incompatibles con tecnologías de silicio y su comportamiento se degrada a frecuencias superiores de 3 GHz, por ello los estudios actuales se centran en la tecnología BAW. Las dos arquitecturas convencionales de filtros basados en resonadores BAW unidos eléctricamente son el ladder y lattice. Sin embargo, en este proyecto se estudiará la topología half lattice, la cual presenta un mejor comportamiento y unas dimensiones más reducidas. Para ello se obtendrán las ecuaciones de diseño del filtro, y con ellas se realizará la implementación a partir de la frecuencia central y el ancho de banda relativo.
En els últims anys la telefonia mòbil ha experimentat una reducció dels terminals gràcies a la miniaturització dels filtres a freqüències de microones. Els filtres passa banda més utilitzats són els basats en la tecnologia SAW, però són incompatibles amb la tecnologia de silici i el seu comportament es degrada a freqüències superiors de 3 GHz, per això els estudis actuals es centren en la tecnologia BAW. Les dues arquitectures convencionals de filtres basats en resonadors BAW units elèctricament són el ladder i el lattice. Però, en aquest projecte s’estudiarà la topologia half lattice, la qual presenta un millor comportament i unes dimensions inferiors. Per aquest motiu s’obtindran les equacions de disseny del filtre, i amb elles es realitzarà la implementació a partir de la freqüència central i l’amplada de banda.
In recent years, the mobile telephony has experienced a reduction in the terminals thanks to the miniaturization of microwave frequency filters. The most used bandpass filters are based on SAW technology, but they are incompatible with silicon technologies and its behavior is degraded for frequencies above 3 GHz, so the recent studies are based on BAW technology. The two conventional filter architectures based on BAW resonators connected electrically are called ladder and lattice. However, this project will examine the half lattice topology, which has a better performance and smaller dimensions. On this account, the filter design equations will be obtained, and with them the implementation from the center frequency and relative bandwidth will be done.
Nota: Aquest document conté originàriament altre material i/o programari només consultable a la Biblioteca de Ciència i Tecnologia.
2009-07
621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions
Filtres elèctrics -- Disseny i construcció
Ressonadors
Telèfon mòbil
Aquest document està subjecte a una llicència d'ús de Creative Commons, amb la qual es permet copiar, distribuir i comunicar públicament l'obra sempre que se'n citin l'autor original, la universitat i l'escola i no se'n faci cap ús comercial ni obra derivada, tal com queda estipulat en la llicència d'ús (http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/es/)
info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
         

Full text files in this document

Files Size Format
PFC_LauraPintodelPozo.pdf 1.241 MB PDF

Show full item record

 

Coordination

 

Supporters