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dc.contributor | Institut de Recerca en Energía de Catalunya |
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dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica |
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies |
dc.contributor.author | Colina Brito, Mónica Alejandra |
dc.contributor.author | Martín García, Isidro |
dc.contributor.author | Giraldo, Sergio |
dc.contributor.author | Sánchez González, Yudania |
dc.contributor.author | Kondrotas, Rokas |
dc.contributor.author | Oliva, Florian |
dc.contributor.author | Izquierdo Roca, Víctor |
dc.contributor.author | Pérez Rodríguez, Alejandro |
dc.contributor.author | Coll Valentí, Arnau |
dc.contributor.author | Alcubilla González, Ramón |
dc.contributor.author | Saucedo Silva, Edgardo Ademar |
dc.date | 2016-08-01 |
dc.identifier.citation | Colina, M.A., Martin, I., Giraldo, S., Sánchez, Y., Kondrotas , R., Oliva, F., Izquierdo, V., Pérez, A., Coll, A., Alcubilla, R., Saucedo Silva, E. Influence of amorphous silicon carbide intermediate layer in the back-contact structure of Cu2ZnSnSe4 solar cells. "IEEE journal of photovoltaics", 1 Agost 2016, vol. 6, núm. 5, p. 1327-1332. |
dc.identifier.citation | 2156-3381 |
dc.identifier.citation | 10.1109/JPHOTOV.2016.2591328 |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/104572 |
dc.language.iso | eng |
dc.relation | http://ieeexplore.ieee.org/document/7527695/ |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Energies::Energia solar fotovoltaica |
dc.subject | Photovoltaic power generation |
dc.subject | Scanning electron microscopy |
dc.subject | Amorphous silicon |
dc.subject | Cu2ZnSn(S1-ySey)(4) (CZTS) |
dc.subject | silicon carbide |
dc.subject | surface passivation layer |
dc.subject | thin-film solar cells |
dc.subject | Microscòpia electrònica d'escombratge |
dc.subject | Energia fotovoltaica--Generació |
dc.subject | Silici |
dc.title | Influence of amorphous silicon carbide intermediate layer in the back-contact structure of Cu2ZnSnSe4 solar cells |
dc.type | info:eu-repo/semantics/submittedVersion |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article |
dc.description.abstract | |
dc.description.abstract | |
dc.description.abstract |