To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2117/104572

Influence of amorphous silicon carbide intermediate layer in the back-contact structure of Cu2ZnSnSe4 solar cells
Colina Brito, Mónica Alejandra; Martín García, Isidro; Giraldo, Sergio; Sánchez González, Yudania; Kondrotas, Rokas; Oliva, Florian; Izquierdo Roca, Víctor; Pérez Rodríguez, Alejandro; Coll Valentí, Arnau; Alcubilla González, Ramón; Saucedo Silva, Edgardo Ademar
Universitat Politècnica de Catalunya. Institut de Recerca en Energia de Catalunya; Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies
Àrees temàtiques de la UPC::Energies::Energia solar fotovoltaica
Photovoltaic power generation
Scanning electron microscopy
Amorphous silicon
Cu2ZnSn(S1-ySey)(4) (CZTS)
silicon carbide
surface passivation layer
thin-film solar cells
Microscòpia electrònica d'escombratge
Energia fotovoltaica--Generació
Silici
info:eu-repo/semantics/submittedVersion
Article
         

Show full item record

Related documents

Other documents of the same author

Martín García, Isidro; Colina Brito, Mónica Alejandra; Coll Valentí, Arnau; López Rodríguez, Gema; Ortega Villasclaras, Pablo Rafael; Orpella García, Alberto; Alcubilla González, Ramón
Coll Valentí, Arnau; Bermejo Broto, Sandra; Martín García, Isidro; Alcubilla González, Ramón
Coll Valentí, Arnau; Bermejo Broto, Sandra; Martín García, Isidro; Ortega Villasclaras, Pablo Rafael; Alcubilla González, Ramón
Coll Valentí, Arnau; Martín García, Isidro; Ortega Villasclaras, Pablo Rafael; Bermejo Broto, Sandra; López, Gema; Alcubilla González, Ramón
Colina Brito, Mónica Alejandra; Martín García, Isidro; Voz Sánchez, Cristóbal; Morales Vilches, Ana Belén; Ortega Villasclaras, Pablo Rafael; López Rodríguez, Gema; García Molina, Francisco Miguel; Alcubilla González, Ramón
 

Coordination

 

Supporters