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Variación de la frecuencia de trabajo en un cristal fotónico basado en silicio macroporoso al variar la longitud del defecto
Cardador, D.; Vega Bru, Didac; Rodríguez Martínez, Ángel
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies
En este trabajo se ha estudiado la relación existente entre la frecuencia de trabajo de un cristal fotónico con defecto y el tamaño de dicho defecto. Las simulaciones indican una dependencia lineal entre ambas, a la vez que se mantiene el factor de calidad de los picos a lo largo de la banda prohibida
Peer Reviewed
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Telecomunicació òptica::Fotònica
Photonics
Cristal fotónico
Silicio macroporoso
Defecto
Banda prohibida
Fotònica
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
         

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