Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2445/99362

Crystal growth characterization of polycrystalline silicon films obtained by hot-wire chemical vapour deposition
Polo Trasancos, Ma. del Carmen; Peiró Martínez, Francisca; Cifre, J.; Bertomeu i Balagueró, Joan; Puigdollers i González, Joaquim; Andreu i Batallé, Jordi
Universitat de Barcelona
Silici
Deposició química en fase vapor
Pel·lícules fines
Creixement cristal·lí
Silicon
Chemical vapor deposition
Thin films
Crystal growth
cc-by (c) Polo Trasancos, Ma. del Carmen et al., 1995
http://creativecommons.org/licenses/by/3.0/es
Article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Institute of Physics (IOP)
         

Mostra el registre complet del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Cifre, J.; Bertomeu i Balagueró, Joan; Puigdollers i González, Joaquim; Polo Trasancos, Ma. del Carmen; Andreu i Batallé, Jordi; Lloret, A.
Puigdollers i González, Joaquim; Cifre, J.; Polo Trasancos, Ma. del Carmen; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi; Lloret, A.
Bertomeu i Balagueró, Joan; Puigdollers i González, Joaquim; Peiró, D.; Cifre, J.; Delgado Nieto, Juan Carlos; Andreu i Batallé, Jordi
Bertomeu i Balagueró, Joan; Puigdollers i González, Joaquim; Asensi López, José Miguel; Andreu i Batallé, Jordi
Muñoz Ramos, David; Voz Sánchez, Cristóbal; Martin, I.; Orpella, A.; Puigdollers i González, Joaquim; Alcubilla González, Ramón; Villar, Fernando; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi; Damon-Lacoste, J.; Roca i Cabarrocas, P. (Pere)