Excimer laser induced deposition of copper from Cu(hfac)(TMVS)

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dc.contributor	Universitat de Barcelona
dc.contributor.author	Izquierdo, Ricardo
dc.contributor.author	Bertomeu i Balagueró, Joan
dc.contributor.author	Suys, Marc
dc.contributor.author	Sacher, Edward
dc.contributor.author	Meunier, Michel
dc.date	2016-05-23T13:58:55Z
dc.date	2016-05-23T13:58:55Z
dc.date	1995
dc.date	2016-05-12T13:28:06Z
dc.identifier.citation	0169-4332
dc.identifier.citation	114375
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2445/98759
dc.format	5 p.
dc.format	application/pdf
dc.language.iso	eng
dc.publisher	Elsevier B.V.
dc.relation	Versió postprint del document publicat a: http://dx.doi.org/10.1016/0169-4332(94)00439-0
dc.relation	Applied Surface Science, 1995, vol. 86, num. 1-4, p. 509-513
dc.relation	http://dx.doi.org/10.1016/0169-4332(94)00439-0
dc.rights	(c) Elsevier B.V., 1995
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject	Coure
dc.subject	Làsers
dc.subject	Pel·lícules metàl·liques
dc.subject	Copper
dc.subject	Lasers
dc.subject	Metallic films
dc.title	Excimer laser induced deposition of copper from Cu(hfac)(TMVS)
dc.type	info:eu-repo/semantics/article
dc.type	info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
dc.description.abstract	Copper films have been deposited on TiN and fluoropolymer substrates from the KrF excimer-laser-assisted decomposition of Cu(hfac)(TMVS). Using H2 as the carrier gas, very uniform, shiny metal-like films were deposited with grain size of 50 to 100 nm. XPS measurements show that the precursor is reduced to metallic copper, and that a Cu/C atomic ratio of up to 17 is obtained.

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