To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2445/98758

P-doped polycrystalline silicon films obtained at low temperature by hot-wire chemical vapor deposition
Puigdollers i González, Joaquim; Cifre, J.; Polo Trasancos, Ma. del Carmen; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi; Lloret, A.
Universitat de Barcelona
Deposició química en fase vapor
Pel·lícules fines
Silici
Chemical vapor deposition
Thin films
Silicon
(c) Elsevier B.V., 1995
Article
info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
Elsevier B.V.
         

Show full item record

Related documents

Other documents of the same author

Cifre, J.; Bertomeu i Balagueró, Joan; Puigdollers i González, Joaquim; Polo Trasancos, Ma. del Carmen; Andreu i Batallé, Jordi; Lloret, A.
Polo Trasancos, Ma. del Carmen; Peiró Martínez, Francisca; Cifre, J.; Bertomeu i Balagueró, Joan; Puigdollers i González, Joaquim; Andreu i Batallé, Jordi
Bertomeu i Balagueró, Joan; Puigdollers i González, Joaquim; Peiró, D.; Cifre, J.; Delgado Nieto, Juan Carlos; Andreu i Batallé, Jordi
Bertomeu i Balagueró, Joan; Puigdollers i González, Joaquim; Asensi López, José Miguel; Andreu i Batallé, Jordi
Muñoz Ramos, David; Voz Sánchez, Cristóbal; Martin, I.; Orpella, A.; Puigdollers i González, Joaquim; Alcubilla González, Ramón; Villar, Fernando; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi; Damon-Lacoste, J.; Roca i Cabarrocas, P. (Pere)
 

Coordination

 

Supporters