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Título: | Efectos de la absorción dieléctrica en circuitos de transferencia de carga para sensores capacitivos |
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Autor/a: | Pallàs Areny, Ramon; Gaitán Pitre, Jorge Eliécer |
Otros autores: | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. GRUP ISI - Grup d'Instrumentació, Sensors i Interfícies |
Abstract: | Se presenta un análisis experimental del efecto de la absorción dieléctrica en el condensador de referencia empleado en circuitos de interfaz entre sensores capacitivos y microcontrolador basados en la transferencia de carga. Los resultados muestran que dicho efecto se puede reducir no sólo usando condensadores con baja absorción dieléctrica y alargando el tiempo de descarga, sino también descartando las primeras lecturas de la medida del sensor. El análisis experimental demuestra que para condensadores de referencia entre 220 nF y 1 µF con diferentes materiales dieléctricos, incluido el óxido de aluminio, el coeficiente de variación (RSD) en las lecturas es menor al 0,3 % cuando el tiempo de descarga TD supera 10 ms. |
Materia(s): | -Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica -Detectors -Absorción dieléctrica -sensores capacitivos -método de transferencia de carga -circuito de interfaz directa -microcontrolador -Detectors |
Derechos: | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ |
Tipo de documento: | Artículo - Versión publicada Objeto de conferencia |
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