Caracterización de transistores de microondas mediante la técnica de calibración TRL

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dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions
dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. RF&MW - Grup de Recerca de sistemes, dispositius i materials de RF i microones
dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. RSLAB - Grup de Recerca en Teledetecció
dc.contributor.author	Pradell i Cara, Lluís
dc.contributor.author	Artal, Eduardo
dc.contributor.author	Comerón Tejero, Adolfo
dc.contributor.author	Corbella Sanahuja, Ignasi
dc.contributor.author	Sabater, C.
dc.date	1989
dc.identifier.citation	Pradell, L., Artal, E., Comeron, A., Corbella, I., Sabater, C. Caracterización de transistores de microondas mediante la técnica de calibración TRL. A: Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. "IV simposium nacional de Unión Científica Internacional de Radio: libro de actas: Santander, 25-27 de septiembre de 1989". Santander: 1989, p. 419-423.
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2117/86158
dc.language.iso	spa
dc.relation	http://ursi.usc.es/wp-content/uploads/articulos_antiguos_escaneados/Santander_1989/sesionB5.pdf
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
dc.subject	Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació
dc.subject	Microwaves
dc.subject	Microones
dc.title	Caracterización de transistores de microondas mediante la técnica de calibración TRL
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type	info:eu-repo/semantics/conferenceObject
dc.description.abstract	In this paper, the design of a Microstrip Test Fixture for TRL calibration is described. Experimental results for S-parameters measurement of a GaAs FET chip in the 3-22 GHz frequency range are presented. Repeatability of connections and measurements is discussed and experimental results are also presented .
dc.description.abstract	Peer Reviewed

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