Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/83144

STT-MRAM cell reliability evaluation under process, voltage and temperature (PVT) variations
Vatajelu, Elena Ioana; Rodríguez Montañés, Rosa; Indaco, Marco; Prinetto, Paolo; Figueras Pàmies, Joan
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Circuits Integrats de Seguretat
Àrees temàtiques de la UPC::Informàtica
Magnetic memory (Computers)
reliability
process variation
voltage variation
temperature
STT-MRAM cell
statistical analysis
Memòria magnètica (Ordinadors)
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
         

Mostrar el registro completo del ítem

Documentos relacionados

Otros documentos del mismo autor/a

Di Carlo, Stefano; Indaco, Marco; Prinetto, Paolo; Vatajelu, Elena Ioana; Rodríguez Montañés, Rosa; Figueras Pàmies, Joan
Rodríguez Montañés, Rosa; Arumi Delgado, Daniel; Manich Bou, Salvador; Figueras Pàmies, Joan; Di Carlo, Stefano; Prinetto, Paolo; Scionti, Alberto
Vatajelu, Elena Ioana; Gómez Pau, Álvaro; Renovell, Michel; Figueras Pàmies, Joan
Vatajelu, Elena Ioana; Panagopoulos, Georgios; Roy, Kaushik; Figueras Pàmies, Joan