Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2117/83083

On the determination of diffusion coefficients in two-component alloys and doped semiconductors: several implications concerning the International Space Station
Sánchez Meneses, O.; Ruiz Martí, Xavier; Pujalte, Mónica; Mercader Calvo, María Isabel; Batiste Boleda, Oriol; Gavaldà, Josefina
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Física; Universitat Politècnica de Catalunya. DF - Dinàmica No Lineal de Fluids
Àrees temàtiques de la UPC::Física
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria dels materials
Reduced gravity environments
Liquid metals
Diffusion
Diffusion coefficients
Numerical simulation
Microgravity conditions
Melted semiconductors
Liquid metals
Shear cell
Long capillaries
Submerged heater method
Dilute liquid-metals
Numerical-simulation
Crystal-growth
Shear cell
AHP-Method
Directional solidification
Microgravity environment
Multicrystalline silicon
Concentration profile
Ambients de microgravetat
Metalls líquids
Difusió (Física)
info:eu-repo/semantics/submittedVersion
Article
         

Mostra el registre complet del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Mercader Calvo, María Isabel; Batiste Boleda, Oriol; Alonso Maleta, María Aránzazu; Knobloch, Edgar
Alonso Maleta, Arantxa; Mercader Calvo, María Isabel; Batiste Boleda, Oriol
Alonso Maleta, María Aránzazu; Batiste Boleda, Oriol; Knobloch, Edgar; Mercader Calvo, María Isabel
Mercader Calvo, María Isabel; Batiste Boleda, Oriol; Alonso Maleta, María Aránzazu
Mercader Calvo, María Isabel; Batiste Boleda, Oriol; Alonso Maleta, María Aránzazu; Knobloch, Edgar