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Efficiency comparison between SiC- and Si-based active neutral-point clamped converters
Nicolás Apruzzese, Joan; Maset, Enrique; Busquets Monge, Sergio; Esteve, Vicente; Bordonau Farrerons, José; Calle Prado, Alejandro; Jordán, José
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Escola Tècnica Superior d'Enginyeria Industrial de Barcelona; Universitat Politècnica de Catalunya. GREP - Grup de Recerca en Electrònica de Potència
-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica
-Metal oxide semiconductors
-Metal oxide semiconductor field-effect transistors
-SiC technology
-SiC MOSFET
-wide band gap
-active neutral-point clamped
-efficiency
-multilevel conversion
-Transistors
-Metall-òxid-semiconductors
-Transistors MOSFET
Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
Artículo - Versión publicada
Objeto de conferencia
         

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