Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/28094

Efficiency comparison between SiC- and Si-based active neutral-point clamped converters
Nicolás Apruzzese, Joan; Maset, Enrique; Busquets Monge, Sergio; Esteve, Vicente; Bordonau Farrerons, José; Calle Prado, Alejandro; Jordán, José
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria Industrial de Barcelona (ETSEIB); Universitat Politècnica de Catalunya. GREP - Grup de Recerca en Electrònica de Potència
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica
Metal oxide semiconductors
Metal oxide semiconductor field-effect transistors
SiC technology
SiC MOSFET
wide band gap
active neutral-point clamped
efficiency
multilevel conversion
Transistors
Metall-òxid-semiconductors
Transistors MOSFET
Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
         

Mostrar el registro completo del ítem

Documentos relacionados

Otros documentos del mismo autor/a

Nicolás Apruzzese, Joan; Busquets Monge, Sergio; Bordonau Farrerons, José; Alepuz Menéndez, Salvador; Calle Prado, Alejandro
Alepuz Menéndez, Salvador; Calle Prado, Alejandro; Busquets Monge, Sergio; Nicolás Apruzzese, Joan; Bordonau Farrerons, José
Nicolás Apruzzese, Joan; Busquets Monge, Sergio; Bordonau Farrerons, José; Alepuz Menéndez, Salvador; Calle Prado, Alejandro; Filbà Martínez, Àlber
Nicolás Apruzzese, Joan; Busquets Monge, Sergio; Bordonau Farrerons, José; Alepuz Menéndez, Salvador; Calle Prado, Alejandro
Nicolás Apruzzese, Joan; Busquets Monge, Sergio; Bordonau Farrerons, José; Alepuz Menéndez, Salvador; Calle Prado, Alejandro