Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/28094
Título: | Efficiency comparison between SiC- and Si-based active neutral-point clamped converters |
---|---|
Autor/a: | Nicolás Apruzzese, Joan; Maset, Enrique; Busquets Monge, Sergio; Esteve, Vicente; Bordonau Farrerons, José; Calle Prado, Alejandro; Jordán, José |
Otros autores: | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Escola Tècnica Superior d'Enginyeria Industrial de Barcelona; Universitat Politècnica de Catalunya. GREP - Grup de Recerca en Electrònica de Potència |
Abstract: | |
Materia(s): | -Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica -Metal oxide semiconductors -Metal oxide semiconductor field-effect transistors -SiC technology -SiC MOSFET -wide band gap -active neutral-point clamped -efficiency -multilevel conversion -Transistors -Metall-òxid-semiconductors -Transistors MOSFET |
Derechos: | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ |
Tipo de documento: | Artículo - Versión publicada Objeto de conferencia |
Compartir: |