Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/27809
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica |
---|---|
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies |
dc.contributor.author | Silvestre Bergés, Santiago |
dc.contributor.author | Boronat Moreiro, Alfredo |
dc.date | 2015-04-23 |
dc.identifier.citation | Silvestre, S.; Boronat, A. Heterojunction diodes and solar cells fabricated by sputtering of GaAs on single crystalline Si. "Electronics", 23 Abril 2015, núm. 4, p. 261-273. |
dc.identifier.citation | 2079-9292 |
dc.identifier.citation | 10.3390/electronics4020261 |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/27809 |
dc.language.iso | eng |
dc.relation | http://www.mdpi.com/2079-9292/4/2/261/htm |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.rights | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Optoelectrònica::Dispositius fotoelèctrics |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Energies::Energia solar fotovoltaica::Cèl·lules solars |
dc.subject | Solar cells |
dc.subject | Silicon diodes |
dc.subject | sputtering |
dc.subject | gallium arsenide |
dc.subject | heterostructures |
dc.subject | silicon |
dc.subject | solar cells |
dc.subject | Cèl·lules solars |
dc.subject | Díodes de silici |
dc.title | Heterojunction diodes and solar cells fabricated by sputtering of GaAs on single crystalline Si |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article |
dc.description.abstract | |
dc.description.abstract |