Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/26567

FinFET and III-V/Ge technology impact on 3T1D cell behavior
Amat Bertran, Esteve; Calomarde Palomino, Antonio; Almudever, Carmen G.; Aymerich Capdevila, Nivard; Canal Corretger, Ramon; Rubio Sola, Jose Antonio
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria de Sistemes, Automàtica i Informàtica Industrial; Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Arquitectura de Computadors; Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions; Universitat Politècnica de Catalunya. ARCO - Microarquitectura i Compiladors
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica
Electronic circuits
Circuits electrònics
Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
         

Mostrar el registro completo del ítem

Documentos relacionados

Otros documentos del mismo autor/a

Amat Bertran, Esteve; Calomarde Palomino, Antonio; García Almudéver, Carmen; Aymerich Capdevila, Nivard; Canal Corretger, Ramon; Rubio Sola, Jose Antonio
Amat Bertran, Esteve; García Almudéver, Carmen; Aymerich Capdevila, Nivard; Canal Corretger, Ramon; Rubio Sola, Jose Antonio
Amat Bertran, Esteve; Calomarde Palomino, Antonio; Canal Corretger, Ramon; Rubio Sola, Jose Antonio
Amat Bertran, Esteve; Amatlle, E.; Gómez González, Sergio; Aymerich Capdevila, Nivard; García Almudéver, Carmen; Moll Echeto, Francisco de Borja; Rubio Sola, Jose Antonio
Amat Bertran, Esteve; Calomarde Palomino, Antonio; Rubio Sola, Jose Antonio