Estudio eléctrico y térmico en transistores IGBT en paralelo con control de reparto de corriente

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dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica
dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. GREP - Grup de Recerca en Electrònica de Potència
dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. EPIC - Energy Processing and Integrated Circuits
dc.contributor.author	Pérez Delgado, Raúl
dc.contributor.author	Román Lumbreras, Manuel
dc.contributor.author	Velasco Quesada, Guillermo
dc.date	2014
dc.identifier.citation	Perez, R.; Roman, M.; Velasco, G. Estudio eléctrico y térmico en transistores IGBT en paralelo con control de reparto de corriente. A: Annual Seminar on Automation, Industrial Electronics and Instrumentation. "Proceedings of the XXI Annual Seminar on Automation, Industrial Electronics and Instrumentation". Tangier: Universitat Rovira i Virgili, 2014, p. 1007-1-1007-6.
dc.identifier.citation	TBD
dc.identifier.citation	TBD
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2117/26269
dc.language.iso	spa
dc.publisher	Universitat Rovira i Virgili
dc.relation	http://www.saaei.org/edicion14/
dc.rights	Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
dc.subject	Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Components electrònics::Transistors
dc.subject	Transistors
dc.subject	Transistors
dc.subject	Transistors bipolars
dc.subject	Enginyeria elèctrica
dc.title	Estudio eléctrico y térmico en transistores IGBT en paralelo con control de reparto de corriente
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type	info:eu-repo/semantics/conferenceObject
dc.description.abstract	En este artículo se analiza el comportamiento eléctrico y térmico de transistores PT-IGBT conectados en paralelo utilizando un control activo de reparto equilibrado de corriente. El estudio de la estructura interna y de las ecuaciones que describen el funcionamiento de un transistor IGBT muestra la capacidad de modificar el funcionamiento del transistor según la relación tensión-corriente colector-emisor (VCE-ICE) variando el valor de la tensión puerta-emisor (VGE). Finalmente se comparan los resultados de funcionamiento de los transistores con control de reparto de corriente con los obtenidos sin aplicar ninguna acción de control.

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