Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2117/25228

SRAM cell stability metric under transient voltage noise
Vatajelu, Elena Ioana; Gómez Pau, Álvaro; Renovell, Michel; Figueras Pàmies, Joan
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Tolerància a Fallades
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica
Electronics
Memòries digitals
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Article
         

Mostra el registre complet del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Vatajelu, Elena Ioana; Gómez Pau, Álvaro; Renovell, Michel; Figueras Pàmies, Joan
Vatajelu, Elena Ioana; Gómez Pau, Álvaro; Renovell, Michel; Figueras Pàmies, Joan
Vatajelu, Elena Ioana; Renovell, Michel; Figueras Pàmies, Joan
Di Carlo, Stefano; Indaco, Marco; Prinetto, Paolo; Vatajelu, Elena Ioana; Rodríguez Montañés, Rosa; Figueras Pàmies, Joan
Rubio Sola, Jose Antonio; Figueras Pàmies, Joan; Vatajelu, Elena Ioana; Canal Corretger, Ramon