A compact noise model for carbon nanotube FETs

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RECERCAT Principal > Universitat Politècnica de Catalunya > Documents de recerca > Visualizar documento

Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/22161

dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica
dc.contributor	Universitat Politècnica de Catalunya. HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions
dc.contributor.author	Landauer, Gerhard Martin
dc.contributor.author	González Jiménez, José Luis
dc.date	2012
dc.identifier.citation	Landauer, G.M.; Gonzalez, J. A compact noise model for carbon nanotube FETs. A: International Semiconductor Conference Dresden-Grenoble. "2012 International Semiconductor Conference Dresden-Grenoble (ISCDG 2012): Grenoble, France: 24-26 September 2012". Grenoble: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2012, p. 53-56.
dc.identifier.citation	9781467317177
dc.identifier.citation	10.1109/ISCDG.2012.6359993
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2117/22161
dc.language.iso	eng
dc.publisher	Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
dc.relation	http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?tp=&arnumber=6359993
dc.rights	Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
dc.subject	Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Radiocomunicació i exploració electromagnètica
dc.subject	Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria civil::Materials i estructures
dc.subject	Nanotubes
dc.subject	Nanostructured materials
dc.subject	Carbon nanotube
dc.subject	Field-effect transistor
dc.subject	Noise modeling
dc.subject	Radio frequency
dc.subject	Analog
dc.subject	Nanotubs
dc.subject	Materials nanoestructurats
dc.title	A compact noise model for carbon nanotube FETs
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type	info:eu-repo/semantics/conferenceObject
dc.description.abstract	This paper focuses on the development of a compact noise model for radiofrequency (RF) carbon nanotube field-effect transistors (CNFET). The noise mechanisms in these devices are discussed and the impact of the different noise sources is analyzed. For the RF-CNFET under investigation a mínimum noise figure NFmin = 0.104 dB at 60 GHz is predicted. Our model is usable with conventional circuit simulators, which provides a basis for further investigations on CNFET-based RF Building blocks.
dc.description.abstract	Peer Reviewed

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