Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/20758

Effect of driver to gate coupling circuits on EMI produced by SiC MOSFETS
Balcells Sendra, Josep; Bogónez Franco, Francisco
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. TIEG - Grup d'Electrònica Industrial Terrassa
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Electrònica de potència
Electromagnetic compatibility
SiC
EMI
conducted EMI
radiated EMI
Power converters
Compatibilitat electromagnètica
info:eu-repo/semantics/submittedVersion
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
         

Mostrar el registro completo del ítem

Documentos relacionados

Otros documentos del mismo autor/a

Mon González, Juan; González Díez, David; Balcells Sendra, Josep; Gago Barrio, Javier; Bogónez Franco, Francisco
Mon González, Juan; Gago Barrio, Javier; González Díez, David; Balcells Sendra, Josep; Fernández García, Raúl; Bogónez Franco, Francisco; Gil Galí, Ignacio
Vallbe, Bernat; Balcells Sendra, Josep; Bogónez Franco, Francisco; Mata Diaz, Jorge; Gago Barrio, Javier
Bogónez Franco, Francisco; Balcells Sendra, Josep; Junyent, Oriol; Jordà, Josep
Mon González, Juan; González Díez, David; Gago Barrio, Javier; Balcells Sendra, Josep; Bogónez Franco, Francisco
 

Coordinación

 

Patrocinio