To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2117/20758

Effect of driver to gate coupling circuits on EMI produced by SiC MOSFETS
Balcells Sendra, Josep; Bogónez Franco, Francisco
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. TIEG - Grup d'Electrònica Industrial Terrassa
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Electrònica de potència
Electromagnetic compatibility
SiC
EMI
conducted EMI
radiated EMI
Power converters
Compatibilitat electromagnètica
info:eu-repo/semantics/submittedVersion
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
         

Show full item record

Related documents

Other documents of the same author

Vallbe, Bernat; Balcells Sendra, Josep; Bogónez Franco, Francisco; Mata Diaz, Jorge; Gago Barrio, Javier
Bogónez Franco, Francisco; Balcells Sendra, Josep; Junyent, Oriol; Jordà, Josep
Mon González, Juan; González Díez, David; Balcells Sendra, Josep; Gago Barrio, Javier; Bogónez Franco, Francisco
Pérez Robles, Daniel; González Díez, David; Mon González, Juan; Balcells Sendra, Josep; Gil Galí, Ignacio; Gago Barrio, Javier; Bogónez Franco, Francisco
Mon González, Juan; Gago Barrio, Javier; González Díez, David; Balcells Sendra, Josep; Fernández García, Raúl; Bogónez Franco, Francisco; Gil Galí, Ignacio
 

Coordination

 

Supporters