Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2445/47603

Structure of a-Si:H/a-Si1-xCx:H multilayers deposited in a reactor with automated substrate holder
Bertomeu i Balagueró, Joan; Asensi López, José Miguel; Puigdollers i González, Joaquim; Andreu i Batallé, Jordi; Morenza Gil, José Luis
Universitat de Barcelona
Silici
Semiconductors amorfs
Cèl·lules solars
Pel·lícules fines
Transistors
Nanotecnologia
Deposició química en fase vapor
Silicon
Amorphous semiconductors
Solar cells
Thin films
Transistors
Nanotechnology
Chemical vapor deposition
(c) Elsevier Ltd, 1993
Article
info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
Elsevier Ltd
         

Mostra el registre complet del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Serra-Miralles, J.; Bertomeu i Balagueró, Joan; Sardin, Georges; Roch i Cunill, Carles; Asensi López, José Miguel; Andreu i Batallé, Jordi; Morenza Gil, José Luis
Orpella, Albert; Voz Sánchez, Cristóbal; Puigdollers i González, Joaquim; Dosev, D.; Fonrodona Turon, Marta; Soler Vilamitjana, David; Bertomeu i Balagueró, Joan; Asensi López, José Miguel; Andreu i Batallé, Jordi; Alcubilla González, Ramón
Bertomeu i Balagueró, Joan; Puigdollers i González, Joaquim; Asensi López, José Miguel; Andreu i Batallé, Jordi
Bertomeu i Balagueró, Joan; Puigdollers i González, Joaquim; Asensi López, José Miguel; Andreu i Batallé, Jordi
Voz Sánchez, Cristóbal; Soler Vilamitjana, David; Fonrodona Turon, Marta; Bertomeu i Balagueró, Joan; Asensi López, José Miguel; Andreu i Batallé, Jordi