Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2445/47504

On the determination of the interface density of states in a-Si:H/a-SiC:H multilayers
Bertomeu i Balagueró, Joan; Puigdollers i González, Joaquim; Asensi López, José Miguel; Andreu i Batallé, Jordi
Universitat de Barcelona
Semiconductors amorfs
Optoelectrònica
Espectroscòpia
Silici
Semimetalls
Amorphous semiconductors
Optoelectronics
Spectrum analysis
Silicon
Semimetals
(c) Elsevier B.V., 1993
Article
info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
Elsevier B.V.
         

Mostra el registre complet del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Orpella, Albert; Voz Sánchez, Cristóbal; Puigdollers i González, Joaquim; Dosev, D.; Fonrodona Turon, Marta; Soler Vilamitjana, David; Bertomeu i Balagueró, Joan; Asensi López, José Miguel; Andreu i Batallé, Jordi; Alcubilla González, Ramón
Bertomeu i Balagueró, Joan; Asensi López, José Miguel; Puigdollers i González, Joaquim; Andreu i Batallé, Jordi; Morenza Gil, José Luis
Bertomeu i Balagueró, Joan; Puigdollers i González, Joaquim; Asensi López, José Miguel; Andreu i Batallé, Jordi
Voz Sánchez, Cristóbal; Soler Vilamitjana, David; Fonrodona Turon, Marta; Bertomeu i Balagueró, Joan; Asensi López, José Miguel; Andreu i Batallé, Jordi
Villar, Fernando; Escarré i Palou, Jordi; Antony, Aldrin; Stella, Marco; Rojas Tarazona, Fredy E.; Asensi López, José Miguel; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi