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On the determination of the interface density of states in a-Si:H/a-SiC:H multilayers
Bertomeu i Balagueró, Joan; Puigdollers i González, Joaquim; Asensi López, José Miguel; Andreu i Batallé, Jordi
Universitat de Barcelona
05-11-2013
Semiconductors amorfs
Optoelectrònica
Espectroscòpia
Silici
Semimetalls
Amorphous semiconductors
Optoelectronics
Spectrum analysis
Silicon
Semimetals
(c) Elsevier B.V., 1993
Artículo
info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
Elsevier B.V.
         

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Serra-Miralles, J.; Bertomeu i Balagueró, Joan; Sardin, Georges; Roch i Cunill, Carles; Asensi López, José Miguel; Andreu i Batallé, Jordi; Morenza Gil, José Luis