To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2445/47504

On the determination of the interface density of states in a-Si:H/a-SiC:H multilayers
Bertomeu i Balagueró, Joan; Puigdollers i González, Joaquim; Asensi López, José Miguel; Andreu i Batallé, Jordi
Universitat de Barcelona
2013-11-05
Semiconductors amorfs
Optoelectrònica
Espectroscòpia
Silici
Semimetalls
Amorphous semiconductors
Optoelectronics
Spectrum analysis
Silicon
Semimetals
(c) Elsevier B.V., 1993
Article
info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
Elsevier B.V.
         

Show full item record

Related documents

Other documents of the same author

Bertomeu i Balagueró, Joan; Puigdollers i González, Joaquim; Asensi López, José Miguel; Andreu i Batallé, Jordi
Orpella, A.; Voz Sánchez, Cristóbal; Puigdollers i González, Joaquim; Dosev, D.; Fonrodona Turon, Marta; Soler Vilamitjana, David; Bertomeu i Balagueró, Joan; Asensi López, José Miguel; Andreu i Batallé, Jordi; Alcubilla González, Ramón
Bertomeu i Balagueró, Joan; Asensi López, José Miguel; Puigdollers i González, Joaquim; Andreu i Batallé, Jordi; Morenza Gil, José Luis
Soler i Vilamitjana, David; Fonrodona Turon, Marta; Voz Sánchez, Cristóbal; Asensi López, José Miguel; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi
Serra-Miralles, J.; Bertomeu i Balagueró, Joan; Sardin, Georges; Roch i Cunill, Carles; Asensi López, José Miguel; Andreu i Batallé, Jordi; Morenza Gil, José Luis
 

Coordination

 

Supporters