Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2445/47424

Top-gate microcrystalline silicon TFTs processed at low temperature (<200ºC)
Saboundji, A.; Coulon, N.; Gorin, A.; Lhermite, H.; Mohammed-Brahim, T.; Fonrodona Turon, Marta; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi
Universitat de Barcelona
Transistors
Semiconductors
Silici
Temperatures baixes
Transistors
Semiconductors
Silicon
Low temperatures
(c) Elsevier B.V., 2005
Article
info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
Elsevier B.V.
         

Mostra el registre complet del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Fonrodona Turon, Marta; Soler Vilamitjana, David; Escarré i Palou, Jordi; Villar, Fernando; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi; Saboundji, A.; Coulon, N.; Mohammed-Brahim, T.
Voz Sánchez, Cristóbal; Soler Vilamitjana, David; Fonrodona Turon, Marta; Bertomeu i Balagueró, Joan; Asensi López, José Miguel; Andreu i Batallé, Jordi
Asensi López, José Miguel; Soler Vilamitjana, David; Fonrodona Turon, Marta; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi
Voz Sánchez, Cristóbal; Peiró, D.; Fonrodona Turon, Marta; Soler Vilamitjana, David; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi
Fonrodona Turon, Marta; Escarré i Palou, Jordi; Villar, Fernando; Soler Vilamitjana, David; Asensi López, José Miguel; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi