To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2445/47422

Investigation of defect formation and electronic transport in microcrystalline silicon deposited by hot-wire CVD
Stöger, M.; Breymesser, A.; Schlosser, V.; Ramadori, M.; Plunger, V.; Peiró, D.; Voz Sánchez, Cristóbal; Bertomeu i Balagueró, Joan; Nelhiebel, M.; Schattschneider, P.; Andreu i Batallé, Jordi
Universitat de Barcelona
Silici
Deposició química en fase vapor
Microscòpia electrònica de transmissió
Potenciometria
Nanotecnologia
Silicon
Chemical vapor deposition
Transmission electron microscopy
Potentiometry
Nanotechnology
(c) Elsevier B.V., 1999
Article
info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
Elsevier B.V.
         

Show full item record

Related documents

Other documents of the same author

Breymesser, A.; Schlosser, V.; Peiró, D.; Voz Sánchez, Cristóbal; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi; Summhammer, J.
Voz Sánchez, Cristóbal; Peiró, D.; Bertomeu i Balagueró, Joan; Soler Vilamitjana, David; Fonrodona Turon, Marta; Andreu i Batallé, Jordi
Puigdollers i González, Joaquim; Orpella, A.; Alcubilla González, Ramón; Dosev, D.; Pallarés Curto, Jordi; Peiró, D.; Voz Sánchez, Cristóbal; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi; Marsal Garví, Lluís F. (Lluís Francesc)
Puigdollers i González, Joaquim; Orpella, A.; Dosev, D.; Voz Sánchez, Cristóbal; Pallarés Curto, Jordi; Marsal Garví, Lluís F. (Lluís Francesc); Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi; Alcubilla González, Ramón; Peiró, D.
Voz Sánchez, Cristóbal; Peiró, D.; Fonrodona Turon, Marta; Soler Vilamitjana, David; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi
 

Coordination

 

Supporters