Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2445/47422

Investigation of defect formation and electronic transport in microcrystalline silicon deposited by hot-wire CVD
Stöger, M.; Breymesser, A.; Schlosser, V.; Ramadori, M.; Plunger, V.; Peiró, D.; Voz Sánchez, Cristóbal; Bertomeu i Balagueró, Joan; Nelhiebel, M.; Schattschneider, P.; Andreu i Batallé, Jordi
Universitat de Barcelona
Silici
Deposició química en fase vapor
Microscòpia electrònica de transmissió
Potenciometria
Nanotecnologia
Silicon
Chemical vapor deposition
Transmission electron microscopy
Potentiometry
Nanotechnology
(c) Elsevier B.V., 1999
Article
info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
Elsevier B.V.
         

Mostra el registre complet del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Breymesser, A.; Schlosser, V.; Peiró, D.; Voz Sánchez, Cristóbal; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi; Summhammer, J.
Voz Sánchez, Cristóbal; Peiró, D.; Fonrodona Turon, Marta; Soler Vilamitjana, David; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi
Voz Sánchez, Cristóbal; Peiró, D.; Bertomeu i Balagueró, Joan; Soler Vilamitjana, David; Fonrodona Turon, Marta; Andreu i Batallé, Jordi
Puigdollers i González, Joaquim; Orpella, Albert; Dosev, D.; Voz Sánchez, Cristóbal; Pallarés Curto, Jordi; Marsal Garví, Lluís F. (Lluís Francesc); Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi; Alcubilla González, Ramón; Peiró, D.
Puigdollers i González, Joaquim; Orpella, Albert; Alcubilla González, Ramón; Dosev, D.; Pallarés Curto, Jordi; Peiró, D.; Voz Sánchez, Cristóbal; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi; Marsal Garví, Lluís F. (Lluís Francesc)