To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2445/47382

Optimisation of doped microcrystalline silicon films deposited at very low temperatures by Hot-Wire CVD
Voz Sánchez, Cristóbal; Peiró, D.; Bertomeu i Balagueró, Joan; Soler Vilamitjana, David; Fonrodona Turon, Marta; Andreu i Batallé, Jordi
Universitat de Barcelona
Silici
Deposició química en fase vapor
Temperatures baixes
Propietats elèctriques
Pel·lícules fines
Energia solar
Transistors
Bor
Fòsfor
Silicon
Chemical vapor deposition
Low temperatures
Electric properties
Thin films
Solar energy
Transistors
Boron
Phosphorus
(c) Elsevier B.V., 2000
Article
info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
Elsevier B.V.
         

Show full item record

Related documents

Other documents of the same author

Voz Sánchez, Cristóbal; Peiró, D.; Fonrodona Turon, Marta; Soler Vilamitjana, David; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi
Dosev, D.; Puigdollers i González, Joaquim; Orpella, Albert; Voz Sánchez, Cristóbal; Fonrodona Turon, Marta; Soler Vilamitjana, David; Marsal Garví, Lluís F. (Lluís Francesc); Pallarés Curto, Jordi; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi; Alcubilla González, Ramón
Voz Sánchez, Cristóbal; Soler Vilamitjana, David; Fonrodona Turon, Marta; Bertomeu i Balagueró, Joan; Asensi López, José Miguel; Andreu i Batallé, Jordi
Puigdollers i González, Joaquim; Voz Sánchez, Cristóbal; Orpella, Albert; Martín, I.; Soler Vilamitjana, David; Fonrodona Turon, Marta; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi; Alcubilla González, Ramón
Voz Sánchez, Cristóbal; Martin, Isidro; Orpella, Albert; Puigdollers i González, Joaquim; Vetter, M.; Alcubilla González, Ramón; Soler Vilamitjana, David; Fonrodona Turon, Marta; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi
 

Coordination

 

Supporters