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Low temperature amorphous and nanocrystalline silicon thin film transistors deposited by Hot-Wire CVD on glass substrate
Fonrodona Turon, Marta; Soler Vilamitjana, David; Escarré i Palou, Jordi; Villar, Fernando; Bertomeu i Balagueró, Joan; Andreu i Batallé, Jordi; Saboundji, A.; Coulon, N.; Mohammed-Brahim, T.
Universitat de Barcelona
Amorphous and nanocrystalline silicon films obtained by Hot-Wire Chemical Vapor Deposition have been incorporated as active layers in n-type coplanar top gate thin film transistors deposited on glass substrates covered with SiO 2. Amorphous silicon devices exhibited mobility values of 1.3 cm 2 V - 1 s - 1, which are very high taking into account the amorphous nature of the material. Nanocrystalline transistors presented mobility values as high as 11.5 cm 2 V - 1 s - 1 and resulted in low threshold voltage shift (∼ 0.5 V).
Transistors
Pel·lícules fines
Silici
Nanocristalls
Deposició química en fase vapor
Transistors
Thin films
Silicon
Nanocrystals
Chemical vapor deposition
(c) Elsevier B.V., 2006
Artículo
info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
Elsevier B.V.
         

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