Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2445/47153

Hot wire configuration for depositing device grade nano-crystalline silicon at high deposition rate
Nos Aguilà, Oriol; Frigeri, Paolo Antonio; Bertomeu i Balagueró, Joan
Universitat de Barcelona
Nanoestructures
Deposició química en fase vapor
Espectroscòpia d'infraroigs per transformada de Fourier
Oxidació
Cèl·lules solars
Pel·lícules fines
Optoelectrònica
Nanostructures
Chemical vapor deposition
Fourier transform infrared spectroscopy
Oxidation
Solar cells
Thin films
Optoelectronics
(c) Elsevier B.V., 2011
Artículo
info:eu-repo/semantics/acceptedVersion
Elsevier B.V.
         

Mostrar el registro completo del ítem

Documentos relacionados

Otros documentos del mismo autor/a

Antony, Aldrin; Carreras Seguí, Paz; Keitzl, Thomas; Roldán, Rubén; Nos Aguilà, Oriol; Frigeri, Paolo Antonio; Asensi López, José Miguel; Bertomeu i Balagueró, Joan
Frigeri, Paolo Antonio; Nos Aguilà, Oriol; Calvo, J. D.; Carreras Seguí, Paz; Roldán, Rubén; Antony, Aldrin; Asensi López, José Miguel; Bertomeu i Balagueró, Joan
Nos Aguilà, Oriol; Frigeri, Paolo Antonio; Bertomeu i Balagueró, Joan
Frigeri, Paolo Antonio; Nos Aguilà, Oriol; Bertomeu i Balagueró, Joan