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Relaxation and derelaxation of pure and hydrogenated amorphous silicon during thermal annealing experiments
Kail, F.; Farjas Silva, Jordi; Roura Grabulosa, Pere; Secouard, C.; Nos Aguilà, Oriol; Bertomeu i Balagueró, Joan; Alzina Sureda, Francesc; Roca i Cabarrocas, P. (Pere)
Universitat de Barcelona
Semiconductors amorfs
Calorimetria
Hidrogen
Silici
Espectroscòpia Raman
Amorphous semiconductors
Calorimetry
Hydrogen
Silicon
Raman spectroscopy
(c) American Institute of Physics , 2010
Artículo
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
American Institute of Physics
         

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