Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/18207

Enhancing 3T DRAMs for SRAM replacement under 10nm tri-gate SOI FinFETs
Jaksic, Zoran; Canal Corretger, Ramon
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Arquitectura de Computadors; Universitat Politècnica de Catalunya. ARCO - Microarquitectura i Compiladors
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Components electrònics::Transistors
Àrees temàtiques de la UPC::Informàtica::Hardware
Semiconductor storage devices
Ordinadors -- Memòries semiconductores
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
IEEE Computer Society Publications
         

Mostrar el registro completo del ítem

Documentos relacionados

Otros documentos del mismo autor/a

Jing, Naifeng; Shen, Yao; Lu, Yao; Ganapathy, Shrikanth; Mao, Zhigang; Guo, Minyi; Canal Corretger, Ramon; Liang, Xiaoyao
Ganapathy, Shrikanth; Canal Corretger, Ramon; González Colás, Antonio María; Rubio Sola, Jose Antonio