DC temperature measurements for power gain monitoring in RF power amplifiers

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Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/17832

Título:	DC temperature measurements for power gain monitoring in RF power amplifiers
Autor/a:	Altet Sanahujes, Josep; Mateo Peña, Diego; Gómez Salinas, Dídac; Perpiñà, Xavier; Jordà, Xavier
Otros autores:	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions
Abstract:	In this paper we demonstrate that the steady state temperature increase due to the power dissipated by the circuit under test can be used as observable to test the gain of a 2GHz linear class A Power Amplifier. As a proof of concept, we use two strategies to monitor the temperature: a temperature sensor embedded within the same silicon die, which can be used for a BIST approach, and an Infra Red camera, with applications to failure analysis and product debugging.
Abstract:	Peer Reviewed
Materia(s):	-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Microelectrònica -Power amplifiers -Amplificadors de potència
Derechos:
Tipo de documento:	Artículo - Versión publicada Objeto de conferencia
Editor:	IEEE
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