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High quality InAlN single layers lattice-matched to GaN grown by molecular beam epitaxy
Gacevic, Z.; Fernández-Garrido, S.; Rebled, J. M. (José Manuel); Estradé Albiol, Sònia; Peiró Martínez, Francisca; Calleja Pardo, Enrique
Universitat de Barcelona
Optoelectrònica
Semiconductors
Estructura cristal·lina (Sòlids)
Indi (Metall)
Optoelectronics
Semiconductors
Layer structure (Solids)
Indium
(c) American Institute of Physics , 2011
Artículo
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
American Institute of Physics
         

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Eljarrat Ascunce, Alberto; Gacevic, Z.; Fernández-Garrido, S.; Calleja Pardo, Enrique; Magén, César; Estradé Albiol, Sònia; Peiró Martínez, Francisca
Estradé Albiol, Sònia; Rebled, J. M. (José Manuel); Walls, M.; Peña, F. de la; Colliex, C.; Córdoba, R.; Infante, I. C.; Herranz Casabona, Gervasi; Sánchez Barrera, Florencio; Fontcuberta i Griñó, Josep; Peiró Martínez, Francisca
Foerster, Michael; Rebled, J. M. (José Manuel); Estradé Albiol, Sònia; Sánchez Barrera, Florencio; Peiró Martínez, Francisca; Fontcuberta i Griñó, Josep
Estradé Albiol, Sònia; Rebled, J. M. (José Manuel); Arbiol i Cobos, Jordi; Peiró Martínez, Francisca; Infante, I. C.; Herranz, G.; Sánchez, F.; Fontcuberta i Griñó, Josep; Córdoba, R.; Mendis, B. G.; Bleloch, A. L.