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Current transport and electroluminescence mechanisms in thin SiO2 films containing Si nanocluster-sensitized erbium ions.
Jambois, Olivier; Berencén Ramírez, Yonder Antonio; Hijazi, K.; Wojdak, M.; Kenyon, Anthony J.; Gourbilleau, F.; Rizk, Richard; Garrido Fernández, Blas
Universitat de Barcelona
Metall-òxid-semiconductors
Luminescència
Propietats òptiques
Optoelectrònica
Metal oxide semiconductors
Luminescence
Optical properties
Optoelectronics
(c) American Institute of Physics , 2009
Artículo
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
American Institute of Physics
         

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Jambois, Olivier; Gourbilleau, F.; Kenyon, Anthony J.; Montserrat i Martí, Josep; Rizk, Richard; Garrido Fernández, Blas
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Pitanti, Alessandro; Navarro Urrios, Daniel; Prtljaga, Nikola; Daldosso, Nicola; Gourbilleau, F.; Rizk, Richard; Garrido Fernández, Blas; Pavesi, Lorenzo
Ramírez Ramírez, Joan Manel; Jambois, Olivier; Berencén Ramírez, Yonder Antonio; Navarro Urrios, Daniel; Anopchenko, Aleksei; Marconi, A.; Prtljaga, Nikola; Daldosso, Nicola; Pavesi, Lorenzo; Colonna, J. P.; Fedeli, Jean-Marc; Garrido Fernández, Blas
 

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